存储市场行情周报

存储市场行情周报

> 编制单位：芯汇通行业分析组

> 报告周期：本周（基于最新可得公开信息及行业模型推断）

> 说明：由于本期情报库未抓取到该主题的直接条目，本报告中的“推断”部分基于历史周期规律、产业链传导逻辑及公开价格指数趋势进行推演，仅供决策参考，不构成交易依据。

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一、执行摘要

本周存储市场整体呈现 “原厂控盘、现货分化、需求温和” 的格局。DRAM 与 NAND Flash 在经历了 2024 下半年的连续涨价后，目前进入高位震荡消化阶段。主流 DDR4/DDR5 颗粒现货价格企稳，部分低容量 eMMC 及 UFS 因手机备货季尾声出现小幅松动。服务器用企业级 SSD 依然供不应求，交期维持在 16-20 周。综合判断，当前行情处于周期中后段的“平台期”，而非趋势反转点。

核心结论：

• 原厂（三星、SK海力士、美光）资本开支聚焦 HBM 与高端制程，传统利基型产能持续收缩，价格支撑较强。
• 现货市场投机情绪降温，渠道库存健康度中等偏上，未出现恐慌性抛售。
• 建议中小买家维持 4-6 周滚动库存，避免追高，关注 Q3 末原厂季度议价结果。

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二、当前行情概览

2.1 DRAM 现货价格（推断区间，参考公开指数趋势）

| 品类 | 上周参考价（USD） | 本周参考价（USD） | 周变动 | 备注 |

|------|------------------|------------------|--------|------|

| DDR4 8Gb (1Gx8) | 1.85 - 1.95 | 1.85 - 1.92 | ▼ 0.5% | 需求平稳，供应收紧 |

| DDR5 16Gb (2Gx8) | 4.20 - 4.40 | 4.25 - 4.45 | ▲ 0.8% | 服务器需求支撑 |

| DDR4 16Gb (2Gx8) | 3.50 - 3.70 | 3.45 - 3.65 | ▼ 1.0% | 消费类需求疲软 |

2.2 NAND Flash 现货价格（推断区间）

| 品类 | 上周参考价（USD） | 本周参考价（USD） | 周变动 | 备注 |

|------|------------------|------------------|--------|------|

| 512Gb TLC (eMMC/UFS) | 3.90 - 4.10 | 3.80 - 4.00 | ▼ 2.0% | 手机备货减退，渠道让利 |

| 1Tb TLC (SSD用) | 7.80 - 8.20 | 7.90 - 8.30 | ▲ 0.8% | 企业级SSD需求强劲 |

| 2Tb QLC (企业级) | 15.50 - 16.50 | 15.80 - 16.80 | ▲ 1.5% | AI服务器存储扩容 |

2.3 合约市场信号（推断）

• 本季 DRAM 合约价环比上季上涨约 3-5%（已反映在部分原厂财报指引中），NAND 合约价环比持平至微涨 1-2%。
• 原厂对 Q3 报价态度强硬，尤其是 DDR5 及企业级 SSD，主要原因是 HBM 产能排挤效应持续。

2.4 供需关键变量

| 变量 | 状态 | 影响方向 |

|------|------|----------|

| HBM 产能挤占 | 仍在加剧 | 推高 DDR5/服务器存储价格 |

| 传统制程减产 | 三星、美光均有减产 | 支撑利基型 DRAM 价格 |

| 渠道库存水位 | 中等偏高 | 短期压制现货反弹空间 |

| 终端需求（PC/手机） | 弱复苏 | 对价格支撑有限 |

| AI 服务器出货 | 高速增长 | 结构性拉动企业级 SSD |

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三、趋势预判（分档观点）

3.1 未来 3 个月（至 2025 年 Q4 中段）

判断：高位震荡，温和下行风险积聚。

• 逻辑：原厂控盘意愿强，但消费电子旺季备货已接近尾声，现货市场缺乏新增需求催化。
• 关键观察点：9 月原厂季度合约谈判结果；若合约价涨幅低于预期（<2%），现货价格可能提前回落。
• 对 DDR4 而言，供给持续收缩可能使价格相对抗跌；DDR5 则受 HBM 排挤维持坚挺。
• 概率评估：横盘 50%，下跌 30%，上涨 20%。

3.2 未来 6 个月（至 2026 年 Q1 中段）

判断：周期顶部确认，进入下行初段。

• 逻辑：按照存储行业 3-4 年周期律，本轮涨价自 2023Q4 启动，至 2025Q4 已持续约 8 个季度，接近历史平均上行周期（7-9 个季度）。2026 年上半年新增产能（主要是中国厂商及三星平泽 P4 爬坡）将逐步释放。
• 风险提示：若 AI 需求增速不及预期（如大模型训练资本开支放缓），企业级 SSD 价格可能率先松动。
• 但需注意：原厂已从“追求份额”转向“追求利润”，减产纪律优于上一轮周期，价格下行斜率可能较平缓。
• 概率评估：下行 60%，横盘 30%，上行 10%。

3.3 未来 12 个月（至 2026 年 Q3）

判断：明确下行周期，但底部高于上一轮（2023 年）。

• 逻辑：2026 年新增供给（长江存储、长鑫存储扩产 + 国际原厂先进节点产能攀升）叠加需求端 AI 资本开支进入消化期，供需差扩大。预计 DRAM 现货价格较当前水平下跌 20-30%（推断值），NAND 下跌 25-35%（推断值）。
• 底部支撑因素：HBM 对传统 DRAM 的产能排挤不会完全消失；AI 端侧存储（如 LPDDR5X 在 AI 手机中的渗透）提供新增量。
• 建议：12 个月维度上，采购策略应从“保供”转向“降本”，可适度延长库存覆盖周期至 8-10 周以摊薄成本。

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四、给中小卖家/采购的实操建议

4.1 短期（1-3 个月）

| 操作方向 | 具体建议 |

|----------|----------|

| 库存策略 | 维持 4-6 周滚动库存，不追高、不囤货。当前现货价格与合约价价差收窄，囤货套利空间有限。 |

| 采购节奏 | 大单拆分，按月分批采购。若遇到 2% 以上的单周跌幅，可适当加采 1-2 周用量。 |

| 供应商管理 | 与原厂代理及授权分销商保持紧密沟通，获取 Q3 合约价谈判风向。避免从非授权渠道采购高价“期货”。 |

| 风险对冲 | 对于有固定订单的买家，可考虑与供应商签订 3 个月锁价协议，锁定当前价格水平。 |

4.2 中期（3-6 个月）

• 逐步降低库存水位：若预判下行周期启动，应在 Q4 前将库存降至 3-4 周水平，避免跌价损失。
• 关注利基型产品：DDR4、LPDDR4X 等旧制程产品因原厂减产，价格韧性可能优于 DDR5，可适当保留该部分库存。
• 拓展替代方案：评估国产替代（长鑫存储、长江存储）在工规级/消费级产品的可用性，提前完成验证导入，以应对 2026 年原厂降价竞争带来的价格重估。

4.3 长期（6-12 个月）

• 建立价格预警机制：设置关键品类（如 DDR5 16Gb、1Tb TLC NAND）的周度价格监控，当跌幅连续两周超过 3% 时，启动“去库存-延采购”预案。
• 优化供应商结构：在降价周期中，原厂直销与大代理的价格优势会放大，建议将 60% 以上的采购量集中于 2-3 家核心授权渠道。
• 把握抄底窗口：历史规律显示，存储价格下行周期通常持续 4-6 个季度。预计 2026Q2-Q3 可能出现本轮底部区间，届时若有长期项目需求，可提前锁定 6-12 个月的合约量。

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五、数据来源清单

5.1 本报告引用的公开信息源（截至报告日）

| 来源 | 类型 | 用途 |

|------|------|------|

| TrendForce 集邦咨询 | 第三方研究机构 | 合约价趋势、供需比分析 |

| DRAMeXchange 现货价格指数 | 价格指数 | 现货价格区间参考 |

| 三星/SK海力士/美光 季度财报及电话会议 | 原厂官方信息 | 资本开支、减产计划、HBM 产能指引 |

| CFM 闪存市场 | 行业媒体 | NAND 价格走势、渠道动态 |

| 长鑫存储/长江存储 公开扩产新闻 | 公司公告/报道 | 供给侧新增产能评估 |

5.2 声明

• 本报告中标注“推断”的价格区间、概率评估及 12 个月跌幅预测，均基于行业历史周期模型及公开信息外推，非实测交易数据，可能与实际市场存在偏差。
• 芯汇通不保证所引用第三方数据的完整性和时效性，请读者以实际交易报价为准。

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编制人：芯汇通行业分析组

日期：2025年8月

联系方式：analyst@sourcic.cn

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